IRF6601详细
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
IRF6601参数
包装:剪切带 (CT),系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):26A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.8 毫欧 @ 26A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):45nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3440pF @ 15V,功率 - 最大值:3.6W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:DirectFET™ 等容 MT,供应商器件封装:DIRECTFET™ MT